站内搜索:
    • 公司:
    • 安普(成都)抛光材料生产厂家
    • 联系:
    • 成经理
    • 手机:
    • 18339999470
    • 地址:
    • 成都市锦江区
本站共被浏览过 683465 次
用户名:
密    码:

产品信息
您所在的位置:首页 > 详细信息

成都封釉抛光液销售,专业值得信赖

2021-07-24 02:09:02 193次浏览

价 格:面议

研磨液的添加量是根据水质和产生切削屑来决定的,水质硬切削量多,则研磨液的添加量应多些。由于离心式研磨机在相同的时间内切屑量多,所以研磨液的添加量应多些。研磨液少量滴入滚筒内被水搅匀后,在光整时会粘附在零件与磨料的表面,对金属表面氧化膜的化学作用,使其软化,易于从表面研磨除去,以提高研磨效率。

硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程,要获得质量好的抛光片,必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用,则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用,则表面产生高损伤层。

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等,对硅单晶片化学机械抛光(CMP)机理、动力学控制过程和影响因素研究标明,化学机械抛光是一个复杂的多相反应,它存在着两个动力学过程。

这两个概念主要出半导体加工过程中,初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了旧的方法。

版权所有:安普(成都)抛光材料生产厂家(ID:35098233) 技术支持:杨宇

2

回到顶部